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　　OPPO发布科技潮品 Reno12 系列，包含 Reno12 与 Reno12 Pro，以超美小直屏设计，以及行业首发的新科技，引领全新潮流方向。同时，通过引入AI能力，Reno12系列再次改变了影像体验，通过全新的“AI闭眼修复”，广受好评的“AI消除”与 “AI抠图”，让时刻不留遗憾。
harting浩亭中国与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
　　PSoCTM 4 HVPA-144K 的双高分辨率模数转换器（Σ-Δ型模数转换器）连同四个数字滤波通道一起通过测量电压、电流、温度等关键参数，实现对电池充电状态（SoC）和健康状态（SoH）的测量，测量精度高达±0.1%。该半导体器件拥有两个带有自动增益控制的可编程增益放大器（PGA），无需软件干预即可实现模拟前端的完全自主控制。与传统的霍尔传感器相比，采用分流式电流传感器的电池精度更高。

　　高效转换电力的功率半导体因应脱碳举措而扩张和多样化，对可显著降低功率损耗的SiC功率半导体的需求正在增加。在xEV领域，功率半导体模块广泛用于功率转换设备，例如xEV驱动电机的逆变器。除了延长xEV的续航里程外，还需要紧凑、大功率、高效率的模块来进一步实现电池和逆变器的小型化。
　　该 NTC 传感器结构坚固耐用，不含铅和卤素，尺寸为 10 x 3 x 3 mm（长 x 宽 x 高），在 25 °C 时， B57850T0103F000 型的标称电阻为 10,000 Ω，容差为 1%，而 B57850T0103G000 型的容差为 2%。 连接电极由 磷青铜制成，可以通过活塞焊、激光焊、微电阻焊或 TIG 焊进行接触。
harting浩亭中国　　紫光展锐推出高性价比芯片平台UNISOC 7861及其解决方案，该芯片平台基于12nm制程，具有的性能和成熟度，采用双高性能大核ArmCortex-A75@1.6GHz和六个能效内核Cortex?-A55@1.6GHz的八核架构，带动智能支付产品跨越全小核芯片时代，真正支持未来长周期Android生态演进。UNISOC 7861支持Wi-Fi 5（双频Wi-Fi）/蓝牙5.0/GNSS、USB Hub、UFS2.2/eMMC5.1/LPDDR4x存储接口等主流规格，通信方面支持LTE Cat.7和L+LDSDS, 多媒体方面支持FHD+显示输出、三路视频流同步输入以及1080P编解码能力等。
　　在工业环境中，通过这些收发器无线连接设备具有安全电流隔离和防尘防潮等优点。这两款收发器芯片也非常适合雷达、激光雷达等机械旋转设备和仪器，以及机械臂等移动设备。由于没有机械磨损，芯片的使用寿命不受转数的限制，因此，工作可靠性高于滑环，特别是在高数据速率传输中，成本低于光纤旋转接头（FORJ）。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

而向量处理器AndesCore NX27V具备512KB的数据缓存，能支持完整的RISC-V标准数据类型以及晶心为AI应用优化的延伸数据类型。NX27V包含高效能的纯量单元及一个乱序向量处理单元（VPU），其向量长度（VLEN）及数据信道宽度（DLEN）皆为 512 位，每个周期多能产生四个 512 位的运算结果。
harting浩亭中国　　此次推出的英特尔至强6能效核处理器基于Intel 3制程工艺，凭借高核心密度及出色的每瓦性能，可在提供高效算力的同时显著降低能源成本。性能与能效的升级使其非常适合要求严苛的高密度、横向扩展工作负载，包括云原生应用和微服务化网络功能、分布式数据分析、内容分发网络，以及消费者数字服务等。
日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。
该系列经过严格测试，成为光伏装置、电源、低至中等风险的医疗设备**、暖通空调、照明以及符合 IEC 62368-1 标准的设备等应用的理想选择。