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　　这款新产品在形成圆弧光的机构中，配备曝光狭缝自动调整机构（SIC：Slit Illuminance Control）。通过自动控制光线通过的狭缝宽度，可以改变曝光光线的强度分布，从而实现稳定的曝光线宽。
ket端子　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
宣布推出车规级 8 通道半桥驱动器 SC77708Q，可驱动多达 16 个外部 N 沟道 MOSFET，支持 24 位 SPI（串行外设接口）或 25kHz 三路 PWM 输入信号对系统进行配置及控制，实现 1mA 到 100mA 的自适应输出驱动电流。SC77708Q 符合 AEC Q-100 标准，开创性地将跛行模式应用到半桥驱动器，为座椅控制、电动尾门、中控锁、车窗升降、雨刮器等多种车身控制应用提供更强的安全保障。

　　研华通过将NXP的高保证启动(HAB)技术集成到AIM-Linux软件服务中，简化了安全系统的建立，可实现只有开发人员签名的软件映像才能在SOC上执行。通过利用内置i.MX 8ULP中的NXP EdgeLock安全区域作为安全子系统，ROM-2620进一步提供了一个稳定可靠的安全架构，保护边缘设备免受物理和网络攻击，高效实现了物联网应用中的系统安全智能。
　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。
ket端子　　X系列机型在其全桥式LLC拓朴设计中，采用了英飞凌主动式桥式整流解决方案与全面性的电源产品组合，包括：PWM IC、涵盖硅 (Si) 和碳化硅 (SiC) 的分立式功率器件以及创新的SMD封装产品。通过英飞凌完整的解决方案，利用不同组件的特性，提供更佳的设计能力，有助于达成高功率、高效率的设计。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。
　　面向高端层级，第三代高通S5音频平台及其全新架构将有助于推动开发者创新，打造更佳音频体验。与前代平台相比，该平台带来超过3倍的计算性能提升和超过50倍的AI性能提升。这将让第三代高通S5音频平台可用于打造需要对终端使用方式和地点作出响应的终端，从而为用户在工作、居家和外出时提供无缝且快速响应的音频体验。

　　OCH1970VAD-H设计了超小型封装DFN-8，由于其紧凑的面积、超薄封装和极低功耗，该旋转磁性位置传感器结合平面和垂直霍尔效应技术，输出多方向感测磁性位置，为客户提供可配置的信号路径，以便优化感测精度。该器件高集成度能够将多个磁性开关功能集成到单一芯片，实现一芯多用，打造人工智能“中国芯”。
ket端子　　此次发布的三星Galaxy Watch Ultra为追求卓越运动表现而生，采用无表耳系统与缓冲设计的钛金属机身，并支持10ATM防水等级，可通过超高耐用性助力用户超越极限。
　　STGAP2SICSA 逻辑输入低至3.3V并且与TTL 和 CMOS 逻辑兼容，简化了与主机微控制器或DSP的连接。该驱动器可在高达26V的栅极驱动电压下的推拉电流高达4A。具有独立输入引脚的关断模式有助于限度地降低系统功耗。
　　TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。