广濑电机

符合 GB/T 18487-2023标准，集成了B/EV型剩余电流保护功能 & MCU功能，基于Cortex-M0内核，具有的低功耗特性、丰富的模拟和数字外设，适用于各种应用场景。可节省PCB面积，优化产品结构，实现降本增效，提升市场竞争力。
广濑电机KSC2轻触开关提供清晰的轻触反馈，使用户更容易知道输入已被记录。使用重新设计的KSC2系列产品会使产品更加可靠、易于使用且安全，终使终端用户受益。
　　四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。

　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
。MAX32690是一款先进的片上系统 (SoC)，将所有必要的处理能力与各种消费类和工业物联网 (IoT) 应用所需的易连接性和蓝牙功能结合在一起，是适用于电池供电应用的理想型超高效MCU。
广濑电机　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
　　基于M091系列的NuMaker-M091YD开发板和Nu-Link除错器为产品评估与开发的利器。同时支持第三方提供的IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM和新唐科技自主研发NuEclipse IDE，为开发人员提供更多选择和便利性。
　　该负斜率均衡器采用坚固弹性和紧凑的同轴封装设计，工作温度范围为0℃到+90℃，输入功率为150mw，允许用户安全地传输更大功率，无需担心过载和损坏天线端口。

FCS950R等多款Wi-Fi与蓝牙模组，适用于工业物联网与智能家居等行业应用。加上此番推出的几款新产品，移远通信在短距离领域的产品与技术布局呈现“全面领先行业”的新局面，将为更多行业与客户带来丰富选择。
广濑电机　　新系列电容器符合 RoHS 标准，直径为 85 mm 或 116 mm 柱形铝制外壳，由合成树脂顶盖。其金属化聚丙烯薄膜 采用干燥的环氧树脂密封，并通过 M6 螺柱端子实现安全的电气连接，底部使用 M12 螺栓进行机械固定。
　　日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
此次应用也是开步电子在车规级产品开发进程中的重要里程碑，显著提升了新能源汽车电流传感器的精度、稳定性和安全性能。本次合作将为双方带来更多市场机会，进一步推动新能源汽车产业的发展和升级。