德尔福连接器
可靠性验证：包括SI/PI测试、长稳测试、掉电专项测试、产品生命周期测试、环境气候测试、中长期测试、MTBF测试、UBER测试等内容，涵盖可靠性的多个方面，确保产品的高可靠；
兼容适配验证：覆盖业界主流厂家主流机型的40+种配置，验证内容包括软件及硬件的兼容性测试，可为业务提供稳定的存储支持。
德尔福连接器虽然带有大显示屏的示波器在工作台上使用效果很好，但我们还是有很多客户要求提供适合机架安装应用的示波器。同时，我们也有客户需要大通道数，例如在物理领域。通过 MXO 5C，我们创造了一种独特的仪器，为这两种需求提供了性能。新的外形尺寸允许将多个通道靠近放置。MXO 5C的八通道型号可提供每通道 1500 立方厘米的通道密度，每通道功耗仅为 23 瓦。
电位器可定制旋钮刻度、阻值、导线和接头，以及棘爪和开关选项。器件还可根据要求提供金属旋钮。P16F和PA16F符合CECC 41000或IEC 60393-1测试标准。
ABI Research预测，到2030 年，全球智能家居设备的数量将增加一倍，达到约17亿台。所有这些设备必须能够安全、可靠地与彼此和不同智能家居生态系统连接。这正是Matter标准的“用武之地”，它可以帮助实现不同公司联网设备之间的顺畅互通。由于智能设备不仅能提升智能家居的舒适度，还能提高其效率和安全性，因此Matter协议定义了一套支持智能家居统一安全和隐私措施的规则。
骁龙X Plus采用先进的高通Oryon CPU，这一定制的集成CPU性能领先竞品高达37%，同时功耗比竞品低54%[1] 。显著提升的CPU性能将树立移动计算新标杆，助力用户更高效地完成任务。骁龙X Plus还旨在满足终端侧AI应用的需求，采用具有45TOPS算力的高通Hexagon NPU，是全球快的笔记本电脑NPU。
德尔福连接器 产品主要规格包括高达 180 MHz 的时钟速度、高性能模拟数字转换器 (ADC)、高分辨率 (<100 ps) 脉冲宽度调制 (PWM) 和集成 CORDIC 加速器，用于从 CPU 卸载实时控制任务。据报道，该加速器对来自单核 ADC 的多达 16 个模拟信号的真正同步“空闲”采样速度可提高 25%，且不会出现采样抖动。
今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。
随着当今技术发展突飞猛进，对于结构紧凑、坚固耐用型多功能连接器系统的需求也更甚以往。在汽车行业，对于电池管理系统、摄像系统/传感器和动力转向等新技术的需求日益增多。此外，要求连接器不仅需满足严格的性能要求，还需在恶劣环境中发挥出色性能。
随着技术和网络安全标准的不断发展，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）通过其CEC1736 TrustFLEX器件可帮助客户更容易获得嵌入式安全解决方案。CEC1736 Trust Shield系列是基于单片机的平台信任根解决方案，可为数据中心、电信、网络、嵌入式计算和工业应用提供网络弹性。
德尔福连接器 Microchip Technology PIC32CZ CA MCU具有Arm Cortex-M7处理器、8MB闪存和1MB SRAM，以及广泛的连接选项，包括高速USB、CAN FD、SQI、SDHC、I2S、Media LB总线、EBI和SERCOM。PIC32CZ CA90 MCU还包括一个集成硬件安全模块 (HSM)，为工业和消费类应用提供统一的安全解决方案。HSM作为安全子系统运行，内置独立MCU，用于管理固件和安全功能，如硬件安全启动、密钥存储、加密加速等。HSM创建了一个独立于主机MCU的防火墙安全子系统，将所有安全功能与主机MCU分隔开。
从超高端层级的S7、高端层级的S5到中端层级的S3，高通技术公司致力于通过全部的产品组合提升音频体验。我们很自豪地宣布推出强大的全新高通S5和S3音频平台，助力推动新一代音频创新。消费者希望以更实惠的价格获得更丰富的特性和体验，而得益于与全球创新性的音频技术的广泛合作，高通语音和音乐合作伙伴扩展计划将为OEM厂商提供显著的竞争优势和更强大的差异化能力。此外，面向高端层级终端，第三代高通S5音频平台采用全新架构并提升AI功能，为OEM厂商提供一个开发智能终端的平台，在监测用户使用环境的同时，根据终端使用状态作出相应响应。
为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。