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　　SignalVu 5.4 版支持多 8 个信号源的并行分析，同时提升了工程师的洞察力和工作效率。新版软件可解决多信号、多标准和多被测设备 (DUT) 场景的复杂需求，真正成为了现代射频以及无线研究和开发不可或缺的工具。
hiroseLinea Lite 相机可适用于广泛的机器视觉应用领域，相机尺寸比一代 Linea 系列小 45%，其设计基于 Teledyne 专有的多线 CMOS 图像传感器。新款 8k 超分辨率黑白相机采用两个 4k/7 μm 像素行，两行彼此间的像素偏移为 ? pix。相机通过两个 4k/7 μm 像素行采集的图像数据进行重构，从而在保证实时性的基础上获得一副 8k/3.5 μm 的超分辨率图像，显著增强了信噪比和亚像素缺陷的检测能力。
　　此外，新驱动器还集成了两个电流检测放大器，用于系统状态监测，有助于限度地降低物料成本。这些放大器适用于检测高边、低边和内联电路的电流，增益可单独设置，具有低失调电压和低温漂特性。可以单独关闭电流检测放大器，以减少闲置时的电流消耗。

　　三星采用的Dimensity 9300+被认为是联发科充分展示设计能力的产品，虽然与竞争对手骁龙8 Gen 3一样采用台积电4纳米（nm；1nm=十亿分之一米）工艺生产，但近在半导体性能评估网站上获得了更高的分数。据报道，它比高通的AP便宜10%以上。
　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
hirose　　借助独特的绕线结构和制造工艺，这些变压器实现了高于传统平面变压器的铜填充因子，因此在封装尺寸、效率和功率密度方面都有所改进。SGTPL-2516系列的绕线技术便于根据特定的设计需求调整工作电压、感值、功率、封装尺寸和高度，无需支付前期的工具费用。除了MIL-STD-981标准S级A组和B组筛选外，这些器件还提供P级筛选，用于设计验证测试和其他的定制筛选选项。
NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
　　Voyager是一款符合 9.6” x 9.6” Micro ATX硬件尺寸的开发板，内含QiLai系统芯片、16GB DDR4 SIMM插槽、JTAG调试器、USB到UART网桥、I2S音频编译码器、16Mb SPI Flash启动程序代码、SD卡插槽，以及多个可用于连接GPU卡和 SSD等多种外部设备的PCIe Gen4插槽。

　　美光利用其 1β（1-beta）技术、先进的硅通孔（TSV）和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的 HBM3E 设计。美光作为 2.5D/3D 堆叠和先进封装技术领域长久以来的存储领导厂商，有幸成为台积电 3Dfabric 联盟的合作伙伴成员，共同构建半导体和系统创新的未来。
hirose这些隔离器采用无芯变压器技术，支持高20倍的能量传输的同时，还具备了电流和温度保护功能，实现更高的可靠性和更低的成本。这款，与目前使用的传统的固态隔离器驱动SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固态隔离器可驱动英飞凌的OptiMOS?和CoolMOS?，其功耗降低多达70%。
　　「S-19990/9系列」还搭载有扩频时钟振荡电路(※2)，可以降低升压电路发出的传导噪声及辐射噪声。另外，静止时的消耗电流为60μA(典型值)，在低电流下工作的同时，实现优异的响应特性。凭借这些特点，既可降低备份电容器/电池的电压，又可实现小型、低成本、低噪声、低暗电流和快速响应，支持日益增长的安全性能要求。
HAL/HAR 3936 具有多功能编程特征以及高精度，这款传感器是转向柱开关、换挡器、制动踏板位置传感器或制动行程传感器的潜在解决方案。**现可提供样品。计划于 2024 年低投产。