安费诺

　　SK海力士发布了新一代图形存储器GDDR7。SK海力士相关人士表示：“全球AI客户对GDDR表现出极大兴趣，GDDR是一种兼具高性能和高速度的专用于图形处理的D-RAM。为此，我们于3月份完成了目前性能的存储器GDDR7的开发，并计划于第三季度开始量产。”
安费诺　　HAL/HAR 3936 提供双芯片型号 HAR 3936-4100，旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构，该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此，它可以提供高分辨率的位置测量，并满足现代应用场景的严格精度要求。
因此，电源电路需要兼顾小型化和高效率。在这样的电源电路中，需要具有能够支持大电流的小型高电感且直流电阻低的功率电感器。

　　为保证可靠性，TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试，并对关键电气特性进行二次额外筛查，以消除批次间误差。为提供可靠解决方案，器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比，电容器符合MIL-STD-202测试标准，具有更高的抗冲击（100 g）和抗震动（20 g）能力。
当与20CFM的强制空气一起使用时，CCP550系列提供完整的 550W输出，在其小巧的外壳（37.5毫米[1.48英寸]）、127.0毫米×76.2毫米5[英寸×3英寸]的空间内确保出色的功率密度水平。
安费诺　　CEC1736 TrustFLEX支持SPI总线监控、安全启动、组件和生命周期管理等现代固件安全功能，可确保预启动和实时（检查时间和使用时间）环境免受现场和远程威胁。
多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率密度和高效率的紧凑型设计。
　　在汽车电子系统中，温度传感器是汽车电子中必不可少的组成部分，可以帮助系统有效地管理热量，通过实时监测系统总成中的温度状况，及时调整冷却策略，防止过热并优化性能，确保设备持久耐用。

　　随着Dubhe-70的正式推出，赛昉科技自研的RISC-V CPU IP已囊括主打性能的昉·天枢-90（Dubhe-90），主打高能效比的昉·天枢-80（Dubhe-80），以及主打极低功耗的Dubhe-70，覆盖各类高性能及高能效场景下的芯片设计需求。
安费诺　　新系列产品体现出 Teledyne 不断树立和提高视觉行业标准、帮助客户取得成功的努力。该产品满足了市场对模块化、小巧、轻便型相机的特别需求，适用于大规模生产、批量应用和多相机系统。
　　日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确起爆，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。
即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。