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新款LTE-M蜂窝通信模块系列：SARA-R52和LEXI-R52，基于u-blox UBX-R52蜂窝通信芯片，专为满足集成化和多模定位与无线通信需求而打造。典型的IoT应用场景包括固定和移动应用，例如电表和公共事业、资产追踪和监控以及医疗。
sumitomo　　Discovery套件还包含一个板载FlashPro5编程器和一个预安装的DSP FIR滤波器，可借助USB转JTAG通道，对PolarFire FPGA的嵌入式数学模块功能进行编程、调试和展示。Libero SoC设计软件可从Microchip的网站，新用户可获得的Silver许可证以便开始使用。
因此，迄今为止，通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路*4的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而，该方法存在一个问题：由于受到储能电路的插入损耗*5影响，虽然受到干扰的天线的特性得到了改善，但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。

　　GD32F5系列高性能MCU配备了7.5MB的片上Flash及1MB的SRAM，其中包含2MB可配置零等待执行区(Code-Flash)，有效提升代码处理效率和实时性；还提供了更大的Data-Flash空间用于备份及参数存储。SRAM/Flash 全区支持ECC校验，以保障完整存储空间的稳定可靠，有效应对各类复杂的工业应用环境。
　　芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。
sumitomo　　新产品采用东芝专有的SOI工艺（TarfSOI），实现了非常高的带宽：TDS4B212MX的－3 dB带宽（差分）为27.5 GHz（典型值），TDS4A212MX为26.2 GHz（典型值），在业界处于领先地位[1]。因此，新产品可用作PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。
　　自1997年率先开始量产用于xEV的功率半导体模块以来，三菱电机已为提高耐热循环性等可靠性并解决逆变器小型化等问题的xEV提供了大量功率模块，并已搭载在各种EV和HEV中。
　　nRF9151 的软件和工具与 nRF9161 和 nRF9131 兼容，可以利用 Nordic 统一可扩展软件解决方案 nRF Connect SDK 中的相同调制解调器固件和支持，充许对 nRF9151 感兴趣的客户使用 nRF9161 DK 快速启动开发工作，并且在 nRF9151 上市后立即无缝过渡。

仪表不仅支持传统的 10 MHz 参考频率，用户还可选择 1 MHz 至 100 MHz 以及 1 GHz 参考频率信号。可选的高输出功率选件在 20 GHz 时测量值为 25 dBm，在 40 GHz 时测量值为 19.5 dBm，选件可通过激活码激活，因此用户可随时安装。考虑到仪器新增覆盖微波频率范围，R&S SMB100B 微波信号发生器保持重量轻（10.7 千克），结构紧凑，在 19 英寸机架上高度仅占两个单元的优势。
sumitomo　　物联网设备的数量正在迅速增加并应用到各行各业之中。随着智能设备数量上涨，用户对设备配置和配对等操作所应具有的简易性之要求也一并提高。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了OPTIGA Authenticate NBT产品。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
　　OCH1970VAD-H设计了超小型封装DFN-8，由于其紧凑的面积、超薄封装和极低功耗，该旋转磁性位置传感器结合平面和垂直霍尔效应技术，输出多方向感测磁性位置，为客户提供可配置的信号路径，以便优化感测精度。该器件高集成度能够将多个磁性开关功能集成到单一芯片，实现一芯多用，打造人工智能“中国芯”。